如何避免掃描電鏡成像中的充電效應(yīng)？
日期：2023-08-21
掃描電鏡成像中的充電效應(yīng)是指由于電子束與樣品相互作用產(chǎn)生的表面電荷積累，從而導(dǎo)致成像問題，如圖像失真、形變、模糊等。為了避免或減輕充電效應(yīng)，可以采取以下策略：
導(dǎo)電涂層：在樣品表面涂覆一層薄的導(dǎo)電涂層，如金屬或碳。這可以幫助將電荷引導(dǎo)到地，減少電荷積累。
真空處理：將樣品置于真空環(huán)境中，可以減少氣體分子與電子束相互作用，從而減輕充電效應(yīng)。
低電子束電壓：使用較低的電子束加速電壓可以減少電子束與樣品表面相互作用的能量，減少電荷積累。
電子束漂移校正：現(xiàn)代SEM設(shè)備通常配備了電子束漂移校正功能，可以實時調(diào)整電子束的位置，以平衡表面電荷。
地線連接：將樣品夾持到帶有地線的支架上，以便將電荷引導(dǎo)到地。
離子束中和：在SEM之前，使用離子束在樣品表面掃描，可以中和表面的電荷積累。然而，這可能會對樣品造成損傷。
防靜電探測器：部分SEM設(shè)備配備了防靜電探測器，用于監(jiān)測和補償表面電荷，減輕充電效應(yīng)的影響。
低真空環(huán)境：使用低真空模式（如氣氛下或者水蒸氣環(huán)境下）進行成像，可以減輕電子束與氣體分子相互作用產(chǎn)生的電荷。
適當?shù)膾呙杷俣群蜁r間：調(diào)整電子束的掃描速度和停留時間，可以減少電子束在一個特定位置停留的時間，減少電荷積累。
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作者：澤攸科技
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