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非導(dǎo)電樣品在掃描電鏡（SEM）中成像時會面臨一個主要問題：電荷積累（charging）。因為電子束轟擊非導(dǎo)體后，電子無法迅速導(dǎo)出，導(dǎo)致樣品表面積累負(fù)電荷，從而產(chǎn)生圖像漂移、亮度不均甚至成像失敗。

為了解決這個問題，常用以下幾種方法來提高非導(dǎo)電樣品的成像質(zhì)量：

1. 噴金或碳鍍膜（導(dǎo)電涂層） ——常用方法

原理：在樣品表面覆蓋一層極薄的導(dǎo)電材料，使電子能夠流走，避免電荷積累。

常用材料：

金（Au）：成像清晰、導(dǎo)電性好，適合高分辨率成像。

碳（C）：適合能譜分析（EDS），不會引入金屬元素干擾。

鉑（Pt）、鈀（Pd）、鉻（Cr）：根據(jù)分辨率或元素背景需求選擇。

鍍膜厚度：幾納米到幾十納米，視樣品尺寸與分辨率需求而定。

方法：使用噴金儀、碳蒸發(fā)器等設(shè)備進(jìn)行真空鍍膜。

2. 低真空或環(huán)境掃描電鏡（Low Vacuum / ESEM）

原理：利用殘余氣體（如水蒸氣或氮氣）中和樣品積聚的電荷。

優(yōu)點：不需要鍍膜，適合不耐高溫或需保持原貌的樣品（如生物樣本、濕樣品）。

局限：分辨率略低于高真空模式。

3. 使用低加速電壓（Low kV Imaging）

原理：減小電子束能量（如降低至 1–5 kV），減少注入電子數(shù)量，從而減輕電荷積累。

優(yōu)點：無需涂層，適合部分敏感樣品。

缺點：成像信號弱，景深和分辨率可能降低。

4. 傾斜樣品或使用導(dǎo)電膠與樣品座連接

將樣品邊緣用導(dǎo)電膠或銅箔連接到樣品托盤（樣品座）上，使表面電荷得以泄放。

適合邊緣導(dǎo)電但表面不導(dǎo)電的樣品，例如某些涂層、復(fù)合材料。

5. 圖像后處理（僅補(bǔ)救用）

在部分電荷效應(yīng)較輕的情況下，可通過圖像處理軟件（如噪聲去除、圖像對齊）部分改善圖像質(zhì)量，但不能替代物理手段。