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在掃描電鏡（SEM）中，電子束與樣品相互作用時，除了產生成像信號，還可能引起對樣品的損傷。對于高分子、軟物質、生物組織、低維納米材料等敏感樣品，電子束損傷尤為突出，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：

一、電子束損傷的主要影響機制

輻照損傷

高能電子會打斷樣品分子中的化學鍵，造成結構破壞。

在高分子和有機材料中，可能出現(xiàn)鏈段斷裂或交聯(lián)。

電荷積累效應

非導電樣品容易發(fā)生電子堆積，導致局部電荷累積。

會引起圖像漂移、局部放電，甚至破壞樣品表面。

熱效應

高電子束流會使樣品局部溫度上升。

對低熔點或熱敏感材料，會導致熔化、氣化或形態(tài)改變。

物理濺射與脫氣

電子轟擊會使樣品表面原子或分子脫離。

生物樣品或含水樣品可能出現(xiàn)失水、收縮或表面塌陷。

二、損傷對圖像和分析的具體影響

圖像模糊與畸變

電荷積累和表面形變導致成像信號不穩(wěn)定。

圖像出現(xiàn)漂移、拖影或細節(jié)丟失。

分辨率下降

樣品表面結構受破壞，真實形貌被改變。

在高分辨率觀察時尤為明顯。

元素分析誤差

電子束誘導的脫氣、成分遷移，會改變局部化學組成。

能譜（EDS）分析結果偏離實際。

三、降低電子束損傷的措施

降低電子束強度

減小加速電壓和束流強度，減少能量沉積。

選擇合適的探測模式

使用低真空模式或環(huán)境掃描電鏡（ESEM），降低電荷積累。

樣品預處理

對非導電樣品進行金屬或碳鍍膜，提高導電性，減小電荷積累。

對生物樣品采用冷凍干燥或低溫冷凍SEM，減少水分揮發(fā)和熱損傷。

動態(tài)掃描策略

避免在同一區(qū)域長時間照射。

使用快速掃描或斷續(xù)掃描方式，降低累積劑量。