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掃描電鏡（SEM）在成像時，如果樣品、儀器或操作條件不合適，就容易產(chǎn)生偽影。這些偽影不是樣品真實結(jié)構(gòu)，而是由于成像條件或外界干擾引入的虛假信息。常見類型及消除技巧如下：

1. 充電偽影

表現(xiàn)：圖像局部過亮或過暗，邊緣拖影，條紋、閃爍。

原因：樣品導電性差，電子束在表面積累電荷。

消除技巧：

對非導電樣品進行金屬或碳鍍膜。

使用低加速電壓或低束流。

采用環(huán)境掃描電鏡（ESEM）模式，利用氣體中和電荷。

2. 束斑漂移或熱漂移偽影

表現(xiàn)：圖像拉伸、漂移，出現(xiàn)條帶或模糊。

原因：電子束不穩(wěn)定、樣品受熱膨脹或載物臺移動不穩(wěn)。

消除技巧：

等待樣品與腔體達到熱平衡。

降低電子束電流以減少樣品加熱。

檢查并穩(wěn)定樣品臺的機械與真空系統(tǒng)。

3. 噪聲偽影

表現(xiàn)：圖像顆粒感強，出現(xiàn)隨機斑點。

原因：信號電子數(shù)不足，探測器噪聲或外部電磁干擾。

消除技巧：

增加電子束電流或延長掃描時間。

使用積分或幀累積方式提高信噪比。

避免在強電磁干擾環(huán)境下操作。

4. 真空污染偽影

表現(xiàn)：圖像逐漸變暗、模糊，局部出現(xiàn)碳污染層。

原因：腔體殘余有機物或樣品本身釋放氣體，被電子束分解沉積。

消除技巧：

預先清洗樣品，避免油脂或膠水殘留。

確保真空腔體清潔，定期維護真空泵。

使用冷阱捕集污染物。

5. 輻照損傷偽影

表現(xiàn)：樣品形貌發(fā)生改變，出現(xiàn)塌陷、孔洞或形變。

原因：高能電子束對聚合物、半導體或生物樣品造成破壞。

消除技巧：

使用低加速電壓、低束流。

避免長時間照射同一區(qū)域。

對敏感樣品采用冷凍或低溫條件。

6. 掃描相關(guān)偽影

表現(xiàn)：圖像出現(xiàn)周期性條紋、拉斜或掃描方向不一致。

原因：掃描線同步錯誤，電源不穩(wěn)，或掃描速度設(shè)置不當。

消除技巧：

調(diào)整掃描速率，使用慢掃描提高穩(wěn)定性。

確認電子學系統(tǒng)的穩(wěn)定性和屏蔽效果。