使用掃描電鏡觀察樣品是否會造成損傷？
日期：2025-05-13
使用掃描電鏡（SEM）觀察樣品在某些情況下確實可能造成樣品損傷。這種損傷取決于樣品的材質、電導率、結構穩定性、電子束參數等。以下是常見的損傷機制和原因：
一、常見損傷類型：
電子束燒蝕（Beam Damage）
高能電子束可引起樣品局部升溫，導致材料分解、熔化或蒸發；
薄膜、聚合物、生物樣品等尤其容易被燒蝕。
電荷積聚引發的損傷（Charging Effects）
非導電樣品容易積聚電荷，造成局部電場破壞樣品表面結構；
會產生圖像漂移、畸變，嚴重時導致表面起泡或開裂。
結構擾動或物理破壞
多孔、微納結構的樣品，如粉末、微粒、柔性材料，在真空或束流轟擊下可能坍塌、移位。
化學變化或污染
高能電子與樣品表面反應可能引發化學鍵斷裂；
環境氣體或殘余油污染物在電子束照射下聚集、沉積，改變表面成分。
二、避免損傷的方法：
降低加速電壓：常用 1–5 kV 觀察敏感樣品；
減小束流電流或縮短曝光時間；
使用金屬鍍膜：為非導體樣品表面噴金或碳，提高導電性；
采用低真空模式或環境掃描電鏡（ESEM）：減少電荷積聚；
冷臺觀察：抑制熱效應，尤其對生物和聚合物樣品有幫助。
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作者：澤攸科技
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