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在掃描電鏡（SEM）成像中，加速電壓的選擇會(huì)直接影響圖像的分辨率、對(duì)比度、表面靈敏度和樣品損傷程度。不同應(yīng)用場(chǎng)景和樣品類(lèi)型，對(duì)加速電壓的選擇也不同，以下是關(guān)鍵的考量原則：

1. 根據(jù)樣品材質(zhì)選擇

非導(dǎo)體或輕元素樣品（如生物組織、塑料、陶瓷）：

使用較低的加速電壓，一般在 1–5 kV 范圍。這樣可以減少電荷積聚（充電效應(yīng)）和樣品表面損傷，同時(shí)增強(qiáng)表面特征的對(duì)比。

導(dǎo)電或重元素樣品（如金屬、合金、礦物）：

可以使用中高電壓，例如 10–20 kV，甚至更高，以獲得更深的電子穿透力和更強(qiáng)的信號(hào)。

2. 根據(jù)成像需求選擇

觀察樣品表面細(xì)節(jié)（高表面靈敏度）：

使用低電壓（1–5 kV）可以抑制電子束穿透，增強(qiáng)表面信號(hào)，如二次電子的表面分辨率表現(xiàn)更佳。

需要高分辨率（例如納米尺度形貌）：

中高電壓（5–15 kV）往往能提供更細(xì)小的電子束束斑，從而獲得更清晰的圖像。

需要穿透較厚樣品或觀察內(nèi)部結(jié)構(gòu)：

采用高電壓（15–30 kV）可增加電子束的穿透深度，更容易激發(fā)背散射電子信號(hào)。

3. 考慮探測(cè)器特性

一些二次電子探測(cè)器在低電壓下性能較好，而背散射電子探測(cè)器通常需要中高電壓激發(fā)更多信號(hào)，選擇電壓時(shí)應(yīng)結(jié)合所使用的探測(cè)器類(lèi)型。

4. 防止樣品損傷

對(duì)于易受電子束損傷的樣品（如聚合物、薄膜），優(yōu)先選擇低電壓成像，并控制掃描時(shí)間和束流強(qiáng)度，以降低破壞風(fēng)險(xiǎn)。