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非導電樣品在掃描電鏡（SEM）下成像時，由于電子束轟擊樣品會導致電荷積累，進而產生充電效應，這可能導致圖像畸變、漂移甚至無法成像。以下是幾種常見的成像方法：

1. 金屬鍍膜

在樣品表面沉積一層導電薄膜（如金、鉑、鉻、碳等），形成導電路徑，使積累的電子逸散：

熱蒸發鍍膜（金、鉑等，適用于生物樣品）

磁控濺射鍍膜（均勻度好，適用于細膩結構）

碳鍍膜（適用于 EDS/EBSD，不影響成分分析）

適用情況：適用于大多數高分辨率成像需求，但可能影響表面微觀結構。

2. 低真空模式（環境掃描電鏡，ESEM）

使用低真空（10-100 Pa）或潮濕環境，引入水蒸氣或氣體，提升電子散射，從而中和充電：

適用于未經鍍膜的樣品（如生物樣品、陶瓷、聚合物等）

保持樣品原始形貌

但分辨率略低于高真空模式

適用情況：適用于不希望破壞樣品表面的情況，如生物樣品、聚合物等。

3. 低加速電壓成像

降低電子束加速電壓（如 < 5 kV），減少電子穿透深度，降低樣品的電荷積累：

低電壓模式可減少表面電荷積累

適用于較薄或較低密度的非導電樣品

分辨率較高，但可能信噪比降低

適用情況：適用于無鍍膜成像，但對信號采集要求較高。

4. 充電補償器

在 SEM 中引入低能量電子槍（如負電荷補償槍），向樣品表面釋放低能電子，中和積累的正電荷：

需要特定的設備支持

適用于一些情況下的無鍍膜成像

適用情況：適用于超高精度成像，但成本較高。

5. 使用導電膠或銀漿固定樣品

用導電膠（碳膠、銀膠）或銅導電膠帶連接樣品與 SEM 樣品臺

減少電荷積累，提高電子泄放

適用于小樣品，但不適用于大面積均勻成像

適用情況：適用于大塊樣品或局部區域分析。

以上就是澤攸科技小編分享的非導電樣品在掃描電鏡下如何成像的介紹。更多掃描電鏡產品及價格請咨詢