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掃描電鏡（SEM）和透射電鏡（TEM）是兩種常用的電子顯微鏡，它們在原理、成像方式、樣品要求和應用等方面都有很大的不同。以下是它們的主要區別：

1. 成像原理

掃描電鏡（SEM）：

工作原理：掃描電鏡通過聚焦電子束掃描樣品表面，并收集反射或散射的二次電子、背散射電子等信號，從而構建樣品表面的圖像。

成像方式：圖像是基于電子束與樣品表面的相互作用來產生的，顯示的是樣品的表面形貌和表面結構。

透射電鏡（TEM）：

工作原理：透射電鏡通過將電子束透過薄樣品，然后通過樣品后的透射電子進行成像。透射電子與樣品內部的原子結構發生相互作用，從而產生圖像。

成像方式：圖像顯示的是樣品的內部結構，包括晶體結構、原子級別的細節等。

2. 樣品要求

掃描電鏡（SEM）：

樣品可以是比較大的固體，甚至是較為粗糙的樣品。

樣品表面需要導電，非導電樣品通常需要鍍上一層薄的金屬涂層（如金或碳），以避免電子束引發靜電積聚。

樣品厚度不需要特別薄，幾毫米甚至幾厘米厚的樣品也能進行觀察。

透射電鏡（TEM）：

樣品須是非常薄的，通常需要小于100nm（納米）的厚度，因為電子束需要透過樣品。

樣品需要非常高的純凈度，并且處理起來較為復雜。

樣品需要能夠承受高能電子束的輻照，避免樣品損壞。

3. 分辨率

掃描電鏡（SEM）：

分辨率較低，一般在 1-10 納米之間。

適用于觀察樣品的宏觀表面形貌，不能觀察到非常精細的內部結構。

透射電鏡（TEM）：

分辨率非常高，通常在 0.1-0.2 納米級別，可以觀察到原子級別的細節。

適合于研究樣品的微觀結構，能夠看到單個原子和晶格排列。

4. 圖像類型

掃描電鏡（SEM）：

主要提供三維的表面圖像，圖像通常是立體的，能夠清晰地顯示樣品的表面形貌、粗糙度、結構等信息。

適合觀察大尺度的結構和表面特征，如微小顆粒、裂紋、孔洞等。

透射電鏡（TEM）：

提供二維圖像，通常是樣品的內部結構。

能夠顯示原子級的細節，適合觀察材料的微觀結構、晶體缺陷、納米結構等。

5. 樣品準備

掃描電鏡（SEM）：

樣品準備相對簡單，通常只需清潔表面，可能需要對非導電樣品進行金屬涂層。

對樣品的要求較低，可以直接觀察大多數樣品，且樣品不需要特別薄。

透射電鏡（TEM）：

樣品準備非常復雜，通常需要通過超薄切片（如超薄刀切或離子切割）來制備非常薄的樣品。

樣品須薄到足以讓電子透過，且須非常均勻。

6. 應用領域

掃描電鏡（SEM）：

適用于觀察材料表面、顆粒形態、破裂或磨損的表面結構、電子器件的表面分析等。

常用于材料科學、電子學、生物學、地質學等領域。

在半導體、金屬材料、薄膜分析、納米技術等方面有廣泛應用。

透射電鏡（TEM）：

主要用于觀察樣品的內部結構，能夠研究晶體結構、相變、缺陷、納米粒子等。

適用于高分辨率結構分析，廣泛應用于材料科學、納米技術、結構生物學等領域。

7. 圖像獲取速度

掃描電鏡（SEM）：

圖像獲取速度較快，因為它主要依賴于電子束在樣品表面的掃描。

透射電鏡（TEM）：

圖像獲取速度較慢，因為電子束需要穿透樣品，而且樣品須非常薄。

以上就是澤攸科技小編分享的掃描電鏡與透射電鏡有何區別。更多掃描電鏡產品及價格請咨詢